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MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 BSC320N20NS3GATMA1

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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
BSC320N20NS3GATMA1
유형
Other
유명 상표
original brand
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

원래 장소
Guangdong, China
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA, SOT-223
신청
general
品名
..
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
3.5A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
300V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
345mV @ 600mA, 3.5A
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
100 @ 500mA, 10V
전원 최대
3W
주파수-전환
80MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
FET 유형
P-Channel
드레인 근원 전압 (Vdss)
30V, 30V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
2.5A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.5A, 10V, 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
3V 250A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
13nC @ 10V, 13nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
480pF @ 5V, 480pF @ 5V
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (최대)
±20V, ±20V
Unit price
Subject to saleman's quotation
item
BSC320N20NS3GATMA1
product
MOSFET N-CH
name
36A TDSON-8

포장 및 배송

포장 세부정보
paper carton
항구
shenzhen

공급 능력

공급 능력
10000 개 per Month

리드 타임

수량 (개)1 - 10 > 10
예상 시간(일)3협의 예정

공급업체의 제품 설명

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